MOS场效应管 AO3402

公司代理、经销各世界厂家生产的二管、三管、稳压管、可控硅、场效应管、电源IC、三端稳压、集成电路、电容等电子元件，全面为大陆、港澳及外国提供稳定货源，专为电源产品、灯饰产品、通信设备、监控设备、音响设备、仪表仪器、电磁炉等家电产品以及一切电器工厂供应长期稳定之零件（包括：DIP和SMD等产品）
场效应管的特性：
1、输入阻抗高；
2、动态范围大；
3、功耗低；
4、开关速度快；
5、温度稳定性好；
6、安全性能好；
7、易于集成；
8、制造简单；
9、使用寿命长；
10、体积小；
11、重量轻；
12、性能稳定；
13、可靠性高；
14、应用广泛。
15、20世纪90年代以来场效晶体管已迅速发展成为大规模集成电路中的一种重要的无源元件。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。 由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单型晶体管。 FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管的输入阻抗适合作阻抗变换，常用于放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏-源间流经沟道的ID， 用栅与沟道间的pn结形成的反偏的栅电压进行控制”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏-源间所加VDS的电场，源区域的某些电子被漏拉去，即从漏向源有电流ID流动。从门向漏扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏-源间的电场，实际上是两个过渡层接触漏与门下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源的很短部分，这更使电流不能流通。
公司本着“信誉”的服务宗旨，“热情，诚信，负责”的工作，向广大新老客户提供价格合理，质量好的产品，快捷的供货服务，技术支援及各类售后服务。多年来，公司以自身价格、质量及服务的优势赢得广大客户的信赖和**。 我们真诚地希望和世界各地新老厂家、商家，携手合作，共创美好未来，欢迎各类厂商长期订单。
http://jsd666.cn.b2b168.com